Éxcitons em Estruturas Semiconductoras Artificiais de (GaAs)/(AIAs)

Revista De Ciências Exatas E Naturais

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ISSN: 15180352

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Início Publicação: 31/12/1998

Periodicidade: Semestral

Área de Estudo: Matemática

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Éxcitons em Estruturas Semiconductoras Artificiais de (GaAs)/(AIAs)

Ano: 2007 | Volume: 9 | Número: 1

Autores: Márcio Daldin Teodoro, Pedro Pablo González-Borrero, Vinícius Mariani Lenart, Ivan Frederico Lupiano Dias, Edson Laureto, José Leonil Duarte, Euclydes Marega Jr.
Autor Correspondente: Márcio Daldin Teodoro | [email protected]

Resumos Cadastrados

Resumo Português:

Neste artigo estudamos a influÃªncia da direÃ§Ã£o de crescimento e do nÃºmero de monocamadas nas proprie

Resumo Inglês:

In this paper we consider the influence of growth direction and the number of monolayers on the opti