Impureza Isoeletrônica de Nitrogênio em Materiais e Heteroestruturas de Materiais Semicondutores

Revista De Ciências Exatas E Naturais

UNIVERSIDADE ESTADUAL DO CENTRO-OESTE

Endereço:

Rua Salvatore Renna - Padre Salvador, 875 - Santa Cruz

/ PR

0

Site: http://revistas.unicentro.br/index.php/RECEN/issue/archive

Telefone: (42) 3621-1000

ISSN: 15180352

Editor Chefe: [email protected]

Início Publicação: 31/12/1998

Periodicidade: Semestral

Área de Estudo: Matemática

(Voltar ao Artigos da Revista: Revista De Ciências Exatas E Naturais)

Impureza Isoeletrônica de Nitrogênio em Materiais e Heteroestruturas de Materiais Semicondutores

Ano: 2008 | Volume: 10 | Número: 1

Autores: Sidney Alves Lourenço, Pedro Pablo González-Borrero, Ivan Frederico Lupiano Dias, José Leonil Duarte
Autor Correspondente: Sidney Alves Lourenço | [email protected]

Palavras-chave: impurezas isoeletrÃ´nicas de n, semicondutores, modelo bandanticrossing

Resumos Cadastrados

Resumo Português:

Neste trabalho, apresentamos uma revisÃ£o dos efeitos da impureza isoeletrÃ´nica de nitrogÃªnio nas pro

Resumo Inglês:

This paper presents a review of the effects of nitrogen isoelectronic impurity upon optical and elec